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Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJS05N06A Dual N-PowerFET 60V 5A Faible RDSon SO-8 MOSFET
Référence produit : YJS05N06A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.49 fr | — |
| 30 – 99 | 0.25 fr | -49% |
| 100 – 199 | 0.22 fr | -55% |
| 200 – 299 | 0.20 fr | -59% |
| 300 – 499 | 0.18 fr | -63% |
| 500 – 3999 | 0.18 fr | -63% |
| 4000+Meilleur prix | 0.18 fr | -63% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Paramètre | Valeur |
| Type | Dual MOSFET |
| Tension | 60 V |
| Courant | 5.0 A |
| Boîtier | SO-8 |
| Résistance (RDSon) | 0.049 Ohm |
Description technique du produit (YJS05N06A):
Le YJS05N06A est un Dual MOSFET haute performance fabriqué par Yangjie Electronic Technology. (YET) DUAL N-POWERFET 60V 5A RDS< 0.049R SO-8. Il est adapté pour la gestion de l'énergie, les convertisseurs DC-DC et les applications de commande de moteur. Encapsulé dans un boîtier SO-8.<br><br>