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Vishay (siliconix)
Vishay (siliconix) SI4431CDY-T1-GE3 P-Channel MOSFET 30V 5.6A SO8
Référence produit : SI4431CDY-T1-GE3
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|---|---|---|
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Caractéristiques techniques
5 paramètres| Paramètre | Valeur |
| Tension Vdss maximale | 30V |
| Courant Id maximal | 5.6A |
| Résistance Rds-on | 0.032Ohm |
| Paramètre (Package) | SO8 |
Description technique du produit (SI4431CDY-T1-GE3):
Le SI4431CDY-T1-GE3 est un MOSFET à canal P haute performance de Vishay (siliconix) dans un boîtier SO8. Les applications typiques incluent la gestion de l'alimentation, la commutation de charge, la protection de la batterie et les convertisseurs DC-DC. Manufacturer info: SI4431CDY-T1-GE3 - 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8 P-MOSFET - VISHAY.