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Vishay (siliconix)

Vishay (siliconix) SI2309CDS-T1-GE3 P-Channel MOSFET 60V 1.2A SOT-23

Référence produit : SI2309CDS-T1-GE3
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
ParamètreValeur
Tension Vdss maximale60V
Courant Id maximal1.2A
Résistance Rds-on0.34Ohm
Paramètre (Package)SOT-23

Description technique du produit (SI2309CDS-T1-GE3):

Le SI2309CDS-T1-GE3 est un MOSFET à canal P haute performance de Vishay (siliconix) dans un boîtier SOT-23. Les applications typiques incluent la gestion de l'alimentation, la commutation de charge, la protection de la batterie et les convertisseurs DC-DC. Manufacturer info: SI2309CDS-T1-GE3 - 60V 1.2A 1.0W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY.