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Vishay
Vishay SI2307CDS-T1-GE3 MOSFET Canal P -30V 2.7A SOT-23
Référence produit : SI2307CDS-T1-GE3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.58 fr | — |
| 30 – 99 | 0.34 fr | -41% |
| 100 – 199 | 0.31 fr | -47% |
| 200 – 499 | 0.28 fr | -52% |
| 500 – 2999 | 0.26 fr | -55% |
| 3000+Meilleur prix | 0.26 fr | -55% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Paramètre | Valeur |
| Type | MOSFET |
| Tension | -30 V |
| Courant | 2.7 A |
| Boîtier | SOT-23 |
| Résistance (RDSon) | 0.088 Ohm |
Description technique du produit (SI2307CDS-T1-GE3):
Le SI2307CDS-T1-GE3 est un MOSFET à canal P haute performance fabriqué par Vishay. Ce P-POWERFET offre -30V, 2.7A et une RDSon de 0.088 Ohm dans un boîtier SOT-23. Il est adapté pour la gestion de l\'énergie, les convertisseurs DC-DC et les applications de commande de moteur. Encapsulé dans un boîtier SOT-23.<br><br>