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Vishay General Semiconductor
Vishay General Semiconductor US1M-E3-61T 600V 1A diode de redressement
Référence produit : US1M-E3-61T
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 20 – 20 | 0.19 fr | — |
| 25 – 180 | 0.12 fr | -37% |
| 185 – 1780 | 0.11 fr | -42% |
| 1785 – 7180 | 0.0973 fr | -49% |
| 7185+Meilleur prix | 0.0886 fr | -53% |
Caractéristiques techniques
3 paramètres| Tension inverse maximale | 600V |
| Courant direct maximal | 1A |
| Boîtier | SMA |
Description technique du produit (US1M-E3-61T):
Diode US1M-E3-61T. Tension inverse maximale: 600V, Courant direct maximal: 1A, Boîtier: SMA. Cet article est une diode de redressement. Convient aux alimentations électriques, aux chargeurs de batteries et aux applications générales de redressement.