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Infineon (irf)
Transistor canal P IRF9953, SO8
Référence produit : IRF9953
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.92 fr | — |
| 5 – 9 | 1.92 fr | -34% |
| 10 – 19 | 1.77 fr | -39% |
| 20 – 49 | 1.69 fr | -42% |
| 50+Meilleur prix | 1.61 fr | -45% |
Description technique du produit (IRF9953):
Transistor canal P IRF9953, SO8. Boîtier: SO8. Charge: 6.1nC. Courant de drain: -2.3A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. RoHS: oui. Résistance thermique: 62.5K/W. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: 20V. Type de transistor: HEXFET, P-MOSFET x2