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Toshiba

Transistor canal N 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V

Référence produit : 2SK1213
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Description technique du produit (2SK1213):

Tension Vds(max): 600V. Idss (maxi): 300uA. Id (T=25°C): 8A. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Technologie: V-MOS-L. Protection G-S: non. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Quantité par boîtier: 1. Id(imp): 24A. Vgs(th) min.: 1.5V. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Trr Diode (Min.): 460 ns. Dissipation de puissance maxi: 125W. Protection drain-source: diode. Tension grille/source Vgs: 20V