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Toshiba
Toshiba 2SK363 MOSFET Canal N 3.7 Ohm TO-92
Référence produit : 2SK363
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| 1+Meilleur prix | 5.20 fr | — |
Description technique du produit (2SK363):
MOSFET canal N Toshiba 2SK363. Courant de fuite Drain-Source Idss: 100uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Boîtier: TO-92. Conforme RoHS: oui. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Technologie: Effet de champ (TT-MOSIV). Protection Gate-Source: oui. Temps de retard à l\'extinction Td(off): 125 ns. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 60 ns. Quantité par boîtier: 1. Capacité d\'entrée C(in): 700pF. Capacité de sortie C(out): 75pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 850 ns. Protection Drain-Source: diode.