Philips Semiconductors PSMN035-150P N-MOSFET 150V 50A 30mOhm TO-220

Description technique du produit (PSMN035-150P):

Tension Vds(max): 150V. Idss (max): 500uA. ID (T=25°C): 50A. ID (T=100°C): 36A. Résistance à l'état passant Rds On: 30 milliohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB (SOT78). Boîtier: TO-220. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Info. spéc.: IDM--200A (Tmb 25°C pulsé). Nombre de bornes: 3. Montage/installation: Montage traversant pour PCB. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide. Technologie: Transistor à effet de champ à mode d'enrichissement. Protection G-S: non. Td(off): 79 ns. IDss (min): 0.05uA. Td(on): 25 ns. Quantité par boîtier: 1. Id(imp): 200A. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 4720pF. C(out): 456pF. Trr Diode (Min.): 118 ns. Pd (Dissipation de puissance, max): 250W. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Tension grille/source Vgs: 20V. Unité de conditionnement: 50