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ON Semiconductor

ON Semiconductor TIG056BF-1E IGBT Canal N 430V 240A TO-220FP

Référence produit : TIG056BF-1E
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Description technique du produit (TIG056BF-1E):

Tension collecteur/émetteur Vceo: 430V. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-3FS. Boîtier: TO-220FP. Diode au Germanium: Suppresseur. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Divers: flash, contrôle de stroboscope. Info spécification: High speed fall time--tf=270nS (typ). Diode CE: non. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Fonction: Faible tension de saturation, commutation ultra rapide. Technologie: Enhancement type. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Tension de saturation VCE(sat): 3.6V. Ic(puls): 240A. C (in): 5500pF. Tension grille - émetteur VGE: 33V. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maximale: 30W. Tension de saturation maximale VCE(sat): 5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) max.: 5V. Courant de collecteur: 240A.