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Infineon Technologies

Infineon IRLB8721 MOSFET de Puissance HEXFET Canal N 30V 64A TO-220AB

Référence produit : IRLB8721
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Description technique du produit (IRLB8721):

Tension Vds(max): 30V. Idss (maxi): 150uA. Id (T=25°C): 64A. Id (T=100°C): 45A. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Boîtier: TO-220. RoHS: Oui. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: Montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Résistance à l\'état passant ultra faible, commutation rapide. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Protection G-S: Non. Td(off): 9 ns. Idss (min): 1uA. Td(on): 9.1 ns. Quantité par boîtier: 1. Id(imp): 250A. Vgs(th) min.: 1.35V. C (in): 1077pF. C (out): 360pF. Trr Diode (Min.): 16 ns. Dissipation de puissance maxi: 65W. Protection drain-source: Oui. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V.