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Generic 2SK809 MOSFET de Puissance Canal N 800V 5A
Référence produit : 2SK809
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| 1 – 4 | 20.95 fr | — |
| 5 – 99 | 19.96 fr | -5% |
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Description technique du produit (2SK809):
Generic 2SK809 MOSFET de puissance canal N. Tension Drain-Source Vds(max) maximale: 800V. Courant de fuite Drain-Source Idss (maxi): 5A. Courant de Drain Id (T=25°C): 5A. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Technologie: V-MOS. Quantité par boîtier: 1. Dissipation de puissance maximale: 100W.