Fairchild IRF610B Transistor MOSFET de Puissance à Canal N, 200V Vds, 3.3A Id, 1.16 Ohm Rds(on), Boî

Description technique du produit (IRF610B):

Tension Vds(max): 200V. Idss (max): 3.3A. ID (T=25°C): 3.3A. ID (T=100°C): 2.1A. Résistance à l\'état passant Rds On: 1.16 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Boîtier: TO-220. Assemblage/installation: Montage traversant sur PCB. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: VGS @10V. Quantité par boîtier: 1. Pd (Dissipation de puissance, Max): 38W