Eupec/Infineon FS75R12KE3GBOSA1 Module IGBT Canal N 1200V 75A 355W
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
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| 1+Meilleur prix | 301.10 fr | — |
Description technique du produit (FS75R12KE3GBOSA1):
Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier (selon fiche technique): autre. Boîtier: autre. Diode au Germanium: non. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Dimensions: 122x62x17.5mm. Diode CE: oui. Nombre de connexions: 35. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Fonction: ICRM 150A Tp=1ms. Remarque: 6x IGBT+ Diode CE. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Ic(puls): 150A. Marquage sur le boîtier: FS75R12KE3G. C (in): 5300pF. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Dissipation de puissance maxi: 355W. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) max.: 6.5V. Courant de collecteur: 100A.