Diodes standard et de redressement

1193 produits disponibles dans la catégorie Diodes standard et de redressement, tous d'origine constructeur, par exemple Taiwan Semicon, Nihon Inter Electronics Corp., Pan Jit International Inc, Smc, Tesla, et 84 autres fabricants

F06C20C

Diode F06C20C, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 200V. Double: double. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installati...

0.64fr

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F114F

Diode F114F, 0.8A, 600V. IF(AV): 0.8A. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI, S...

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F1200D

Diode F1200D, 12A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 12A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..40uA. Famille de composants: Diode de ...

0.73fr

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F12C20C

Diode F12C20C, 6A, 100A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 200V. IF(AV): 6A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Cj: 55pF. Fonction: Double diode ...

1.16fr

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F1GF

Diode F1GF...

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F1M

Diode F1M, SOD123F. Boîtier: SOD123F. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Montage/installation: SMD. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 500ns. Tension de conduc...

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F1MF

Diode F1MF...

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F1T4

Diode F1T4, 1A, TS-1 ( 2.5x3.3mm ), 400V. IF(AV): 1A. Boîtier (selon fiche technique): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 30Ap/8.3ms...

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F2GF

Diode F2GF...

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F2MF

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F3GF

Diode F3GF...

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F3MF

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FE1D

Diode FE1D, 1A, 200V. IF(AV): 1A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GL...

0.14fr

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FE3B

Diode FE3B, 3A, 100V. IF(AV): 3A. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 125A/8.3ms...

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FE3C

Diode FE3C, 3A, 150V. IF(AV): 3A. VRRM: 150V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 125A/8.3ms...

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FEP16DT

Diode FEP16DT, TO220AB. Boîtier: TO220AB. Conditionnement: tubus. Courant d'impulsion max.: 200A. Courant: 16A. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ul...

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FEP16JT

Diode FEP16JT, 8A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Double: double. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installati...

1.43fr

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FEP30DP

Diode FEP30DP, 15A, 300A, TO-247, TO-247AD, 200V. IF(AV): 15A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 200V. Cj: 175pF. Fonction: Double diode de redressement u...

2.74fr

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FEP30JP-E3

Diode FEP30JP-E3, 15A, 300A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 145pF. Fonction: Double diode de redressemen...

3.12fr

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FFPF05U120S

Diode FFPF05U120S, 5A, 1200V. IF(AV): 5A. VRRM: 1200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ifsm--30App...

1.45fr

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FFPF06U20S

Diode FFPF06U20S, 6A, 60A, TO-220FP, TO-220F-2L, 200V. IF(AV): 6A. IFSM: 60A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Fonction: Ultrafast with soft recovery. Mat..

1.65fr

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FFPF10UP20S

Diode FFPF10UP20S, 10A, 100A, TO-220FP, TO-220F-2L, 200V. IF(AV): 10A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-2L. VRRM: 200V. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. Mat...

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FFPF10UP60S

Diode FFPF10UP60S, 10A, 50A, TO-220FP, TO-220F-2L, 600V. IF(AV): 10A. IFSM: 50A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-2L. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Mont...

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FFPF60B150DS

Diode FFPF60B150DS, 6A, TO-220FP, TO-220F-3. IF(AV): 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-3. Fonction: 'Damper + Modulation Diode'. Matériau semi-conducteur: silicium. Mo...

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