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Stmicroelectronics
Diode BYT30P-1000, 30A, 200A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1000V
Référence produit : BYT30P-1000
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Description technique du produit (BYT30P-1000):
Diode BYT30P-1000, 30A, 200A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1000V. IF(AV): 30A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. IRM (max): 5mA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: partie métallique reliée à la cathode. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Trr Diode (Min.): 70 ns