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BUZ80AF V-MOSFET Canal N 800V 2.1A 3 Ohm Résistance à l\'état passant
Référence produit : BUZ80AF
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Description technique du produit (BUZ80AF):
Tension Vds(max): 800V. Idss (max): 2.1A. ID (T=25°C): 2.1A. ID (T=100°C): 1.5A. Résistance à l\'état passant Rds On: 3 Ohms. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor N MOSFET. Technologie: V-MOS (F). Remarque: <100/220ns. Quantité par boîtier: 1. Pd (Dissipation de puissance, Max): 40W.
