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-- 2N5116 P-Channel MOSFET 30V 0.006A n/a
Référence produit : 2N5116
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.83 fr | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Paramètre | Valeur |
| Tension Vdss maximale | 30V |
| Courant Id maximal | 0.006A |
| Résistance Rds-on | n/a |
| Paramètre (Package) | n/a |
Description technique du produit (2N5116):
Le 2N5116 est un MOSFET à canal P haute performance de -- dans un boîtier n/a. Les applications typiques incluent la gestion de l'alimentation, la commutation de charge, la protection de la batterie et les convertisseurs DC-DC. Manufacturer info: Tranzisztor P-FET 30V Ibss>6mA Up<4V 2N5116.