Toshiba 2SK3878 MOSFET Canal N 900V 9A TO-3P

Description technique du produit (2SK3878):

Tension Vds(max): 900V. Idss (max): 100uA. ID (T=25°C): 9A. ID (T=100°C): 5.3A. Résistance à l'état passant Rds On: 1 Ohm. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Info spécifique: Vth=2.0 à 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Nombre de bornes: 3. Assemblage/installation: Montage traversant pour PCB. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Protection G-S: oui. Td(off): 120ns. IDss (min): 1uA. Td(on): 65 ns. Quantité par boîtier: 1. Id(imp): 27A. Marquage sur le boîtier: K3878. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 2200pF. C(out): 45pF. Trr Diode (Min.): 1.4us. Pd (Dissipation de puissance, max): 150W. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Tension grille/source Vgs: 30 V. Vgs(th) max.: 4 V. Unité de conditionnement: 25