Toshiba 2SK3568 MOSFET de Puissance Canal N 500V 12A TO-220F

Description technique du produit (2SK3568):

MOSFET de puissance canal N Toshiba 2SK3568. Tension Drain-Source Vds(max) maximale: 500V. Courant de fuite Drain-Source Idss (maxi): 100uA. Courant de Drain Id (T=25°C): 12A. Courant de Drain Id (T=100°C): 12A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Boîtier: TO-220FP. Conforme RoHS: oui. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Technologie: Effet de champ (TT-MOSVI). Température maximale: +150°C. Protection Gate-Source: oui. Temps de retard à l\'extinction Td(off): 170 ns. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 50 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 48A. Marquage sur le boîtier: K3568. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacité d\'entrée C(in): 1500pF. Capacité de sortie C(out): 180pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 1200 ns. Dissipation de puissance maximale: 40W. Protection Drain-Source: diode. Tension Gate-Source Vgs: 30V. Température: +150°C.