STMicroelectronics STP4NB80 MOSFET PowerMESH Canal N, 800V, 4A

Description technique du produit (STP4NB80):

Tension Drain-Source Vds(max): 800V. Courant de fuite Drain-Source Idss (maxi): 50uA. Courant de Drain Id (T=25°C): 4A. Courant de Drain Id (T=100°C): 2A. Résistance à l\'état passant Rds On: 3 Ohms. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à courant élevé, haute vitesse. Technologie: PowerMESH MOSFET. Protection Gate-Source: non. Temps de retard à l\'arrêt Td(off): 12 ns. Courant de fuite Drain-Source Idss (min): 1uA. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 14 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 16A. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 3V. Capacité d\'entrée C (in): 700pF. Capacité de sortie C (out): 95pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 600 ns. Dissipation de puissance maximale: 100W. Protection Drain-Source: oui. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) max.: 5V