STMicroelectronics STP14NF12 MOSFET de Puissance STripFET II Canal N, 120V, 14A, TO-220

Description technique du produit (STP14NF12):

Tension Drain-Source Vds(max): 120V. Courant de fuite Drain-Source Idss (maxi): 10uA. Courant de Drain Id (T=25°C): 14A. Courant de Drain Id (T=100°C): 9A. Résistance à l\'état passant Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Boîtier: TO-220. Montage/Installation: Montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible charge d\'entrée. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Protection Gate-Source: non. Temps de retard à l\'arrêt Td(off): 32 ns. Courant de fuite Drain-Source Idss (min): 1uA. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 16 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 56A. Marquage sur le boîtier: P14NF12. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacité d\'entrée C (in): 460pF. Capacité de sortie C (out): 70pF. Dissipation de puissance maximale: 60W. Protection Drain-Source: oui. Tension Gate-Source Vgs: 20V. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) max.: 4V