STMicroelectronics STP11NM80 MOSFET MDmesh Canal N, 800V, 11A, TO-220

Description technique du produit (STP11NM80):

Tension Drain-Source Vds(max): 800V. Courant de fuite Drain-Source Idss (maxi): 100uA. Courant de Drain Id (T=25°C): 11A. Courant de Drain Id (T=100°C): 4.7A. Résistance à l\'état passant Rds On: 0.35 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Boîtier: TO-220. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Nombre de connexions: 3. Montage/Installation: Montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d\'entrée, résistance et charge de grille. Technologie: MDmesh MOSFET. Protection Gate-Source: non. Temps de retard à l\'arrêt Td(off): 46 ns. Courant de fuite Drain-Source Idss (min): 10uA. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 22 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 44A. Marquage sur le boîtier: P11NM80. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 3V. Capacité d\'entrée C (in): 1630pF. Capacité de sortie C (out): 750pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 612 ns. Dissipation de puissance maximale: 150W. Conditionnement: Tube en plastique. Protection Drain-Source: Diode Zener. Tension Gate-Source Vgs: 30V. Unité de conditionnement: 50