MOSFET Canal N Toshiba 2SK2662, 500V, 5A, 1.35 Ohm, Boîtier TO-220FP

Description technique du produit (2SK2662):

Tension Drain-Source Vds(max): 500V. Courant de fuite Drain-Source Idss(max): 100uA. Courant de Drain continu Id (T=25°C): 5A. Résistance à l\'état passant Rds(On): 1.35 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Boîtier: TO-220FP. Conforme RoHS: Oui. Nombre de connexions: 3. Type de montage: Montage traversant. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse, protégé par Zener. Technologie: Transistor à effet de champ (TT-MOS V). Protection Gate-Source: Oui. Temps de retard à l\'arrêt Td(off): 60 ns. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 25 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 20A. Marquage sur le boîtier: K2662. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacité d\'entrée C(in): 780pF. Capacité de sortie C(out): 200pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 1400 ns. Dissipation de puissance maximale: 35W. Protection Drain-Source: Diode. Tension Gate-Source Vgs: 30V. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) max.: 4V. Température: +150°C.