MOSFET Canal N Fuji Electric 2SK2647, 800V, 4A, 3.19 Ohm, Boîtier TO-220F15

Description technique du produit (2SK2647):

Tension Drain-Source Vds(max): 800V. Courant de fuite Drain-Source Idss(max): 200uA. Courant de Drain continu Id (T=25°C): 4A. Courant de Drain continu Id (T=100°C): 4A. Résistance à l\'état passant Rds(On): 3.19 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Boîtier: TO-220. Nombre de connexions: 3. Type de montage: Montage traversant. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Technologie: Série FAP-IIS MOS-FET. Protection Gate-Source: Non. Temps de retard à l\'arrêt Td(off): 50 ns. Courant de fuite Drain-Source Idss(min): 10uA. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 20 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 16A. Marquage sur le boîtier: K2647. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 3.5V. Capacité d\'entrée C(in): 450pF. Capacité de sortie C(out): 75pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 450 ns. Dissipation de puissance maximale: 40W. Protection Drain-Source: Diode. Tension Gate-Source Vgs: 30V. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) max.: 4.5V. Température: +150°C.