IXYS IXFH32N50 MOSFET de Puissance HiPerFET Canal N, 500V Drain-Source, 32A Courant de Drain, Boîtie

Description technique du produit (IXFH32N50):

Ce MOSFET de puissance HiPerFET canal N IXYS IXFH32N50 présente une tension drain-source maximale (Vds) de 500V et un courant de drain continu (ID) de 32A à 25°C. Sa résistance à l\'état passant (Rds On) est de 0,15 Ohms. Le composant est logé dans un boîtier TO-247AD, adapté au montage traversant sur PCB. Il fonctionne dans une plage de température de -55°C à +150°C et est conforme à la directive RoHS. Les spécifications clés incluent une dissipation de puissance (Pd) de 360W, une tension grille-source (Vgs) de 20V et un temps de retard à l\'allumage (Td(on)) de 35 ns. Il offre une protection drain-source.