Infineon SPU04N60C3 MOSFET de Puissance CoolMOS Canal N, 650V, 4.5A, TO-251 (I-Pak)

Description technique du produit (SPU04N60C3):

Tension Drain-Source Vds(max): 650V. Courant de fuite Drain-Source Idss (maxi): 50uA. Courant de Drain Id (T=25°C): 4.5A. Courant de Drain Id (T=100°C): 2.8A. Résistance à l\'état passant Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-251 (I-Pak). Boîtier: TO-251 (I-Pak). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Nombre de connexions: 3. Montage/Installation: Montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Charge de grille ultra-faible, capacité dv/dt extrême. Technologie: Cool Mos. Protection Gate-Source: non. Temps de retard à l\'arrêt Td(off): 58.5 ns. Courant de fuite Drain-Source Idss (min): 0.5uA. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 6 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 13.5A. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 2.1V. Capacité d\'entrée C (in): 490pF. Capacité de sortie C (out): 160pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 300 ns. Dissipation de puissance maximale: 50W. Protection Drain-Source: Diode Zener. Tension Gate-Source Vgs: 20V