Infineon SPP11N60C3 MOSFET de Puissance CoolMOS Canal N, 650V, 11A, TO-220

Description technique du produit (SPP11N60C3):

Tension Drain-Source Vds(max): 650V. Courant de fuite Drain-Source Idss (maxi): 100uA. Courant de Drain Id (T=25°C): 11A. Courant de Drain Id (T=100°C): 7A. Résistance à l\'état passant Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Boîtier: TO-220. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Nombre de connexions: 3. Montage/Installation: Montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Capacité dv/dt extrême, capacité de courant de crête élevée. Technologie: Cool Mos POWER Transistor. Protection Gate-Source: non. Temps de retard à l\'arrêt Td(off): 44 ns. Courant de fuite Drain-Source Idss (min): 0.1uA. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 10 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 33A. Marquage sur le boîtier: 11N60C3. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 2.1V. Capacité d\'entrée C (in): 1200pF. Capacité de sortie C (out): 390pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 400 ns. Dissipation de puissance maximale: 125W. Protection Drain-Source: Diode Zener. Tension Gate-Source Vgs: 20V. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) max.: 3.9V