Diode HER103, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V

Diode HER103, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0669fr
50-99
0.0565fr
100+
0.0511fr
Equivalence disponible
Quantité en stock: 39
Minimum: 10

Diode HER103, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Equivalences: HER103G. Fonction: diode de redressement à haut rendement. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 14:35

Documentation technique (PDF)
HER103
20 paramètres
IF(AV)
1A
IFSM
30A
Boîtier
DO-41
Boîtier (selon fiche technique)
DO-41
VRRM
200V
Cj
25pF
Equivalences
HER103G
Fonction
diode de redressement à haut rendement
IRM (max)
100uA
IRM (min)
5uA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de seuil Vf (max)
1V
Tension de seuil Vf (min)
1V
Trr Diode (Min.)
50 ns
Produit d'origine constructeur
Taiwan Semiconductor
Quantité minimum
10

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