Diode BY133, DO-41, DO-204AC, 1A, 30A, 1A, DO-41 ( 2.6x4.8mm ), 1300V

Diode BY133, DO-41, DO-204AC, 1A, 30A, 1A, DO-41 ( 2.6x4.8mm ), 1300V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0235fr
50-99
0.0193fr
100-499
0.0155fr
500+
0.0112fr
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Diode BY133, DO-41, DO-204AC, 1A, 30A, 1A, DO-41 ( 2.6x4.8mm ), 1300V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. If [A]: 1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Courant: 1A, 2A. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 55A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.3 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V, 1.3V. Tension inverse maxi: 1.3kV, 1300V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.3V @ 1A. Produit d'origine constructeur: Dc Components Co. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 14:24

Documentation technique (PDF)
BY133
39 paramètres
Boîtier
DO-41
Boîtier (norme JEDEC)
DO-204AC
IF(AV)
1A
IFSM
30A
If [A]
1A
Boîtier (selon fiche technique)
DO-41 ( 2.6x4.8mm )
VRRM
1300V
Cj
15pF
Conditionnement
Ammo Pack
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant d'impulsion max.
30A
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
5uA..50uA
Courant
1A, 2A
Famille de composants
Diode de redressement standard
IRM (max)
500uA
IRM (min)
5uA
Ifsm [A]
55A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
IFSM--30Ap t=8.3mS
Structure diélectrique
Anode-cathode
Structure semi-conductrice
diode
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Température maxi
+175°C.
Tension de conduction (tension de seuil)
1.1V
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
1.3 kV
Tension de seuil Vf (max)
1.1V
Tension de seuil Vf (min)
1.1V
Tension de seuil
1.1V, 1.3V
Tension inverse maxi
1.3kV, 1300V
Type de conditionnement
Ammo Pack
Type de diode
diode de redressement
[V]
1.3V @ 1A
Produit d'origine constructeur
Dc Components Co
Quantité minimum
10

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