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BA479G Diode PIN au silicium, Boîtier DO-34, 30V Vrrm, 50nA Ir, Montage traversant
Référence produit : BA479G
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Description technique du produit (BA479G):
RoHS: non. Nombre de bornes: 2. Boîtier: DO-34. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 50nA. If [A]: 0.05A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Température maxi: +125°C. Famille de composants: Diode PIN au silicium. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 V. Tension directe Vf [V]: 1V @ 20mA.