Transistor PNP BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 150 MHz. Fonction: Transistor numérique au silicium PNP. Gain hFE mini: 50. Marquage sur le boîtier: XUs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance B: 4.7k Ohms. Résistance BE: 4.7k Ohms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 20:34