Transistor PNP BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V

Transistor PNP BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0341fr
50-99
0.0304fr
100+
0.0267fr
Quantité en stock: 45
Minimum: 10

Transistor PNP BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 125. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3E. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 3E. Température de fonctionnement: °C. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 20:34

Documentation technique (PDF)
BC857A
25 paramètres
Courant de collecteur
100mA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
45V
Dissipation de puissance maxi
0.25W
FT
100 MHz
Fonction
usage général
Gain hFE maxi
250
Gain hFE mini
125
Ic(puls)
200mA
Marquage sur le boîtier
3E
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
SMD 3E
Température de fonctionnement
°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.075V
Transistor Darlington?
non
Type de transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Nxp Semiconductors
Quantité minimum
10