Transistor PNP BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 350mW. FT: 280 MHz. Fréquence maxi: 280MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Cdil. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:56