Transistor PNP 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

Transistor PNP 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0773fr
50-99
0.0664fr
100-199
0.0584fr
200+
0.0468fr
Quantité en stock: 8959
Minimum: 10

Transistor PNP 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. FT: 80 MHz. Fonction: hFE.120-240. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: 1015 Y. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC1815Y. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -...+125°C. Température: +125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 01:37

Documentation technique (PDF)
2SA1015Y
28 paramètres
Courant de collecteur
0.15A
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
C (out)
4pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.4W
FT
80 MHz
Fonction
hFE.120-240
Gain hFE maxi
240
Gain hFE mini
120
Marquage sur le boîtier
1015 Y
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SC1815Y
Technologie
'Epitaxial Type (PCT Process)'
Température de fonctionnement
-...+125°C
Température
+125°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.1V
Type de transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba
Quantité minimum
10