Transistor PNP 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

Transistor PNP 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0358fr
50-99
0.0311fr
100-199
0.0277fr
200+
0.0232fr
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Quantité en stock: 3161
Minimum: 10

Transistor PNP 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo-Pack. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 0.2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Marquage du fabricant: 2N3906. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor Planaire Si-Epitaxial. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Diodes Inc. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 01:37

Documentation technique (PDF)
2N3906
38 paramètres
Boîtier
TO-92
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
40V
Courant de collecteur Ic [A], max.
200mA
Courant de collecteur
100mA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92Ammo-Pack
Tension collecteur/émetteur Vceo
40V
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de collecteur Ic [A]
0.2A
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.625W
Dissipation maximale Ptot [W]
0.625W
FT
250 MHz
Famille de composants
transistor PNP
Fréquence de coupure ft [MHz]
250 MHz
Gain hFE maxi
300
Gain hFE mini
100
Ic(puls)
200mA
Marquage du fabricant
2N3906
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Polarité
bipolaire
Puissance
0.625W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
Transistor Planaire Si-Epitaxial
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension (collecteur - émetteur)
40V
Tension de saturation VCE(sat)
0.25V
Type de conditionnement
Ammo Pack
Type de transistor
PNP
Vcbo
40V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Diodes Inc
Quantité minimum
10