Transistor NPN ZTX649, 2A, TO-92, TO-92, 25V
Quantité
Prix unitaire
1-4
2.17fr
5-24
1.94fr
25-49
1.77fr
50-99
1.63fr
100+
1.42fr
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Transistor NPN ZTX649, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 240 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.23V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 35V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Diodes Inc. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 23:05
ZTX649
23 paramètres
Courant de collecteur
2A
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension collecteur/émetteur Vceo
25V
C (out)
50pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
1W
FT
240 MHz
Gain hFE maxi
300
Gain hFE mini
15
Ic(puls)
6A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Technologie
PLANAR TRANSISTOR
Température de fonctionnement
-55...+200°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.23V
Type de transistor
NPN
Vcbo
35V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Diodes Inc.