Transistor NPN TIP122G, TO-220, 100V, 5A, 5A, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. C (out): 200pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: 5A. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 65W. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. FT: kHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fonction: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE min.: 1000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 8A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: TIP122G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 65W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP127G. Série: TIP122G. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor Darlington. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 19:08