Transistor NPN PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0697fr
50-99
0.0607fr
100-199
0.0552fr
200+
0.0469fr
Quantité en stock: 79
Minimum: 10

Transistor NPN PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: kHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: *08. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS P08/T08. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 13:03

Documentation technique (PDF)
PDTC144ET
23 paramètres
Courant de collecteur
100mA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
Dissipation de puissance maxi
0.25W
FT
kHz
Fonction
Transistor avec résistance de polarisation intégrée
Gain hFE mini
80
Ic(puls)
100mA
Marquage sur le boîtier
*08
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
sérigraphie/code CMS P08/T08
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.15V
Type de transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
10V
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors
Quantité minimum
10