Transistor NPN MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Transistor NPN MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0287fr
50-99
0.0241fr
100+
0.0213fr
Quantité en stock: 1003
Minimum: 10

Transistor NPN MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 80pF. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 0.9A. Marquage sur le boîtier: 2x. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 2X. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:37

MMBT4401LT1G
30 paramètres
Courant de collecteur
0.6A
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
40V
C (out)
80pF
Conditionnement
rouleau
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
300mW
FT
250 MHz
Fonction
Transistor de commutation
Gain hFE maxi
300
Gain hFE mini
20
Ic(puls)
0.9A
Marquage sur le boîtier
2x
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
sérigraphie/code CMS 2X
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.4V
Tf(max)
30 ns
Type de transistor
NPN
Unité de conditionnement
3000
Vcbo
60V
Vebo
6V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor
Quantité minimum
10