Transistor NPN MMBT2222ALT1G, SOT-23, 600mA

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Transistor NPN MMBT2222ALT1G, SOT-23, 600mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: 1P. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 15:50

Documentation technique (PDF)
MMBT2222ALT1G
13 paramètres
Boîtier
SOT-23
Courant de collecteur Ic [A], max.
600mA
Boîtier (norme JEDEC)
TO-236
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Dissipation maximale Ptot [W]
0.3W
Famille de composants
transistor NPN
Fréquence de coupure ft [MHz]
300 MHz
Marquage du fabricant
1P
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
40V
Produit d'origine constructeur
Onsemi