Transistor NPN MJE18004G, TO-220AB, 1000V, 5A, 5A
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Transistor NPN MJE18004G, TO-220AB, 1000V, 5A, 5A. Boîtier: TO-220AB. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Applications: commutation. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 13 MHz. Marquage du fabricant: MJE18004G. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 75W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Type de transistor: Transistor de puissance. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 15:27
MJE18004G
19 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension collecteur-émetteur VCEO
1000V
Courant de collecteur
5A
Courant de collecteur Ic [A], max.
5A
Applications
commutation
Boîtier (norme JEDEC)
TO-220
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Dissipation maximale Ptot [W]
75W
Famille de composants
transistor de puissance NPN
Fréquence de coupure ft [MHz]
13 MHz
Marquage du fabricant
MJE18004G
Nombre de bornes
3
Polarité
NPN
Puissance
75W
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
450V
Type de transistor
Transistor de puissance
Produit d'origine constructeur
Onsemi