Transistor NPN MJE15032G, 250V, TO-220, 8A, 8A, TO-220AB, 250V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Bande passante MHz: 30MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. C (out): 4pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: 8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. FT: 30 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fonction: pour amplificateur audio. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Fréquence maxi: 30MHz. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE min.: 10. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 16A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJE15032G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15033. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 250V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Vcbo: 250V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:52