Transistor NPN DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Quantité
Prix unitaire
10-19
0.0495fr
20-49
0.0442fr
50+
0.0389fr
Quantité en stock: 2280
Minimum: 10

Transistor NPN DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Date de production: 2014/49. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: kHz. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 18. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:16

Documentation technique (PDF)
DTC143ZT
22 paramètres
Courant de collecteur
100mA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
Date de production
2014/49
Dissipation de puissance maxi
0.25W
FT
kHz
Gain hFE mini
100
Ic(puls)
100mA
Marquage sur le boîtier
18
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.1V
Type de transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
10V
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors
Quantité minimum
10