Transistor NPN DTC143TT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN DTC143TT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Quantité
Prix unitaire
10-24
0.0507fr
25-49
0.0457fr
50-99
0.0407fr
100+
0.0307fr
Quantité en stock: 2782
Minimum: 10

Transistor NPN DTC143TT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: kHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: *33, P33, t33, w33. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 33. RoHS: oui. Résistance B: 4.7k Ohms. Résistance BE: -. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:16

DTC143TT
26 paramètres
Courant de collecteur
100mA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.25W
FT
kHz
Fonction
Transistor avec résistance de polarisation intégrée
Gain hFE mini
200
Marquage sur le boîtier
*33, P33, t33, w33
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Remarque
sérigraphie/code CMS 33
RoHS
oui
Résistance B
4.7k Ohms
Spec info
R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open)
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.1V
Type de transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors
Quantité minimum
10