Transistor NPN BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0541fr
50-99
0.0472fr
100-199
0.0421fr
200+
0.0358fr
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Quantité en stock: 2092
Minimum: 10

Transistor NPN BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 100 MHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: XCs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 10k Ohms. Spec info: sérigraphie/code CMS XCs. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 1V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 20:34

Documentation technique (PDF)
BCR533
26 paramètres
Courant de collecteur
500mA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.33W
FT
100 MHz
Fonction
Transistor avec résistance de polarisation intégrée
Gain hFE mini
70
Marquage sur le boîtier
XCs
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance B
10k Ohms
Résistance BE
10k Ohms
Spec info
sérigraphie/code CMS XCs
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.3V
Type de transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
1V
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies
Quantité minimum
10