Transistor canal P BSS84, SOT-23 ( TO-236 ), 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=25°C): 130mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 25pF. C (out): 15pF. Courant continu moyen: -130mA. Courant de drain: -130mA. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Fonction: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id (T=100°C): 75mA. Id(imp): 520mA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 11W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 10 Ohms. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. Spec info: sérigraphie/code CMS 11W. Td(off): 7 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: 'Enhancement mode vertical D-MOS transistor'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension drain - source: -50V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.8V. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 13:31