Transistor canal N YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB
Quantité
Prix unitaire
1-9
1.58fr
10-19
1.27fr
20-29
1.16fr
30-49
1.06fr
50-149
0.98fr
150+
0.95fr
| Quantité en stock: 349 |
Transistor canal N YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 60V. Résistance passante Rds On: 0.0029 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Courant de drain maxi: 200A. Puissance: 260W. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Yangjie Electronic Technology. Quantité en stock actualisée le 15/02/2026, 02:19
YJP200G06A
8 paramètres
Tension drain - source (Vds)
60V
Résistance passante Rds On
0.0029 Ohms
Boîtier
TO-220AB
Courant de drain maxi
200A
Puissance
260W
Type de canal
N
Type de transistor
transistor de puissance MOSFET
Produit d'origine constructeur
Yangjie Electronic Technology