Transistor canal N YJP130G10B, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.79fr
5-19
1.49fr
20-29
1.34fr
30-49
1.22fr
50-99
1.13fr
100+
1.10fr
| Quantité en stock: 430 |
Transistor canal N YJP130G10B, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 0.0055 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Courant de drain maxi: 130A. Puissance: 260W. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Yangjie Electronic Technology. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 05:18
YJP130G10B
8 paramètres
Tension drain - source (Vds)
100V
Résistance passante Rds On
0.0055 Ohms
Boîtier
TO-220AB
Courant de drain maxi
130A
Puissance
260W
Type de canal
N
Type de transistor
transistor de puissance MOSFET
Produit d'origine constructeur
Yangjie Electronic Technology