Transistor canal N SPP20N60C3, TO-220, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, P-TO220-3-1, 650V
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Transistor canal N SPP20N60C3, TO-220, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, P-TO220-3-1, 650V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 13.1A. Id (T=25°C): 20.7A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): P-TO220-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 2400pF. C (out): 780pF. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 20.7A. Dissipation de puissance maxi: 208W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 62.1A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 20N60C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 208W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 67 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 600V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 05:54